歐姆龍（OMRON）繼電器MOS FET全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金屬，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半導(dǎo)體，F(xiàn): Field---場(chǎng),E: Effect---效應(yīng),T: Transistor---晶體管，代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它的內(nèi)部由3個(gè)芯片構(gòu)成，LED芯片+PDA芯片（光電二極管陣列）+MOS FET芯片共同組成，工作原理是通過LED發(fā)光--PDA發(fā)電--MOSFET開關(guān)，這三個(gè)過程相結(jié)合實(shí)現(xiàn)繼電器 的功能。

MOS FET繼電器是一種集兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件，包括機(jī)械繼電器（簧片繼電器）及半導(dǎo)體開關(guān)裝置。與其他普通繼電器相比，MOS FET繼電器擁有更多的優(yōu)點(diǎn)，它的存在可以促進(jìn)各種設(shè)備的小型化，并且實(shí)現(xiàn)更加節(jié)能的作用,正逐步替代機(jī)械繼電器。以下是歐姆龍MOS FET繼電器區(qū)別于普通繼電器的顯著特點(diǎn)。      

歐姆龍MOS FET繼電器的特點(diǎn)

1. 繼電器雖小仍可實(shí)現(xiàn)它的焊接性。

l SSOP/USOP封裝的繼電器，端子直接露出，可視性優(yōu)異，安裝便利。

l VSON/S-VSON封裝，雖然無(wú)直接引線，但是繼電器側(cè)身焊接結(jié)合處面積大，結(jié)合強(qiáng)度優(yōu)異。

2. 超小型、輕量：除了SSOP、USOP之外，超小型封裝VSON、S-VSON全新登場(chǎng)，為設(shè)備的小型化做出貢獻(xiàn)。

3. 低驅(qū)動(dòng)電流：在推薦運(yùn)行條件（標(biāo)準(zhǔn)）下的驅(qū)動(dòng)電流為2-15mA左右。還有最小可用0.2mA驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品，為整體設(shè)備的節(jié)能化做出貢獻(xiàn)。

4. 長(zhǎng)壽命：采用光信號(hào)傳輸方式，實(shí)現(xiàn)無(wú)接點(diǎn)構(gòu)造。不會(huì)因接點(diǎn)磨損而縮短使用壽命，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)使用壽命。

5. 漏電流微弱：對(duì)外部浪涌有很高的耐心，而且還沒有緩沖電路，因此正常運(yùn)行時(shí)電流小于1nA，關(guān)閉時(shí)的漏電流也極其微弱。

6.  耐沖擊性出色：內(nèi)部部件完全為沖壓制品，而且沒有可動(dòng)部等機(jī)構(gòu)部件，具有出色的耐沖擊性、耐震動(dòng)性。

7. 高絕緣性：將電壓轉(zhuǎn)換成光、以信號(hào)形式進(jìn)行傳送，確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。更高級(jí)的AC5000V也已實(shí)現(xiàn)系列化。

8. 靜音：不會(huì)像機(jī)械繼電器那樣在開閉金屬接點(diǎn)時(shí)會(huì)發(fā)出聲音，為設(shè)備的靜音化做出貢獻(xiàn)。

9. 高速響應(yīng)性：運(yùn)行時(shí)間僅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比機(jī)械繼電器的3ms-5m，速度明顯提升。實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)性。

10. 可準(zhǔn)確控制微小模擬信號(hào)：與機(jī)械繼電器同等的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，與雙向可控硅開關(guān)元件相比，不靈敏帶極小。微弱模擬信號(hào)的輸入波形可基本無(wú)任何失真地轉(zhuǎn)換為輸出波形。